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Memoria RAM DDR5 de Samsung para AMD Ryzen en 12 nm a 7,2 Gbps

Samsung Electronics Co. Ltd., uno de los líderes mundiales en fabricación de semiconductores y memorias avanzadas ha anunciado el desarrollo de un nuevo chip de DRAM tipo DDR5 de 16 Gigabits (Gb) que será el primero fabricado usando el proceso de fabricación de 12 nm. Además, este producto será compatible con los nuevos procesadores AMD Ryzen 7000 Series y estará optimizado para ellos.

¿Qué supondrá la DDR5 DRAM a 12 nm?

“Nuestra DRAM de rango de 12 nm será un factor clave para impulsar la adopción de DRAM DDR5 en todo el mercado. Con un rendimiento y una eficiencia energética excepcionales, esperamos que nuestra nueva DRAM sirva como base para operaciones más sostenibles en áreas como la informática de última generación, los centros de datos y los sistemas impulsados ​​por IA”.

Jooyoung Lee, vicepresidente ejecutivo de productos y tecnología DRAM de Samsung Electronics.

Aunque los procesadores más avanzados, como las CPUs y GPUs actuales estén siendo fabricadas en nodos mucho más avanzados, no es el caso de otros chips como las memorias DRAM, que acaban de llegar ahora a este nuevo nodo de fabricación gracias al desarrollo de Samsung.

Este salto de nodo viene gracias al uso de nuevos materiales similares a los que ya se estaban usando en las CPUs y GPUs, como es un nuevo material dieléctrico de alto κ que aumenta la capacitancia de la celda de de memoria, así como una nueva tecnología patentada que mejora algunas características críticas de estos chips.

Todo ello en combinación con la fotolitografía EUV (Extreme Ultra Violet) multicapa, permitirá a Samsung fabricar estos chips de memoria DRAM DDR5 con 12 nm, lo que supondrá una mayor densidad en la matriz, menor consumo, y una ganancia del 20% en el yield de los wafers producidos frente a la tecnología actual.

“La innovación a menudo requiere una estrecha colaboración con los socios de la industria para ampliar los límites de la tecnología. Estamos encantados de colaborar una vez más con Samsung, particularmente en la presentación de productos de memoria DDR5 que están optimizados y validados en plataformas ‘Zen’”.

Joe Macri, vicepresidente sénior, socio corporativo y CTO de Clientes, Cómputo y Gráficos de AMD.

Samsung ha optimizado así el nuevo estándar DDR5 con esta DRAM de clase 12nm que podrá  desbloquear velocidades de hasta 7,2 gigabits por segundo (Gbps). Eso se traduce en poder procesar dos películas UHD de 30 GB en tan solo un segundo.

Además, esta gran velocidad de la DRAM DDR5 de Samsung se combina también con un consumo más reducido, gracias a la mayor eficiencia de este nuevo nodo de 12 nm. Por ejemplo, según Samsung, estos nuevos chips consumirán hasta un 23% menos que los anteriores. Esto será perfecto especialmente para HPC y grandes centros de datos.

Samsung tiene programada la producción en masa de estos chips DDR5 DRAM de 12nm para 2023. Además, estos chips llegarán a una amplia variedad de segmentos del mercado. Y eso no será todo, seguirán trabajando junto a sus socios tecnológicos de la industria para seguir mejorando en futuras generaciones…

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Fuente
VideoCardZ

Isaac

Geek de los sistemas electrónicos, especialmente del hardware informático. Con alma de escritor y pasión por compartir todo el conocimiento sobre tecnología.
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