TSMC ha comenzado silenciosamente la producción en volumen de sus chips de 2 nanómetros (N2). Este avance representa el salto tecnológico más significativo de la compañía en años, al introducir por primera vez la arquitectura de transistores Gate-All-Around (GAA).
TSMC da el salto hacia los transistores GAA con los nodos 2N
A diferencia de la tecnología FinFET utilizada en generaciones anteriores, los transistores GAA rodean completamente el canal por donde fluye la corriente. Esta nueva geometría permite un control electrostático superior, reduciendo las fugas de energía y permitiendo que los transistores sean más pequeños sin comprometer su rendimiento. Con el proceso N2, TSMC logra un equilibrio perfecto entre densidad y eficiencia que muchas compañías agradecerán para sus próximos chips.
Las cifras que respaldan este nuevo nodo son prometedoras. Según los datos más técnicos, el proceso de 2nm de TSMC ofrece una mejora del rendimiento de hasta un 15% manteniendo el mismo nivel de consumo energético (ISO power). Para aquellos dispositivos donde la prioridad es la autonomía, el nodo N2 puede reducir el consumo de energía entre un 25% y un 30% operando a la misma velocidad que la tecnología actual de 3nm (N3E). Además, la densidad de transistores se incrementa en un 15%, permitiendo chips más potentes en espacios más reducidos.
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Un despliegue silencioso
Aunque la compañía no emitió un comunicado de prensa para el inicio de la producción, el cumplimiento de los plazos en el cuarto trimestre de 2025 confirma que TSMC sigue liderando la hoja de ruta mundial de chips avanzados. Clientes muy importantes, como Apple y los principales diseñadores de chips para IA, ya están en fila para integrar esta tecnología de 2N en la próxima generación de procesadores.
Con esta transición, TSMC no solo mantiene su dominio en la fabricación de chips, sino que establece un nuevo estándar de eficiencia que será vital para los próximos chips en todas sus facetas, procesadores, GPUs, aceleradoras e IA, etc.
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