Las memorias HBM3E de 8 capas de Samsung se implementarán en las aceleradoras de IA de Nvidia, luego de que pasase todos los controles de calidad.
Las memorias HBM3E de Samsung se utilizaran en las aceleradoras de Nvidia
Samsung anunció que sus chips HBM de quinta generación (HBM3E) han pasado todas las pruebas de control de calidad, por lo que ya están preparados para dar vida a las próximas aceleradoras de Nvidia, según está informando Reuters.
Las memorias HBM3E de 8 capas serán de vital importancia para seguir aumentando el rendimiento de las próximas aceleradoras de IA. En este aspecto, estas memorias van a ofrecer una velocidad de 9,6 Gb/s, lo que elevaría el ancho de banda de memoria hasta los 1200 GB/s. En comparación con las memorias HBM3, estas ofrecen una velocidad de 6,4 GB/s y un ancho de banda de 819 GB/s.
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Hace un tiempo se reportó que los chips HBM de Samsung estaban teniendo problemas para pasar los controles de calidad debido a problemas de temperatura y consumo eléctrico, pero esto fue desmentido por el fabricante.
El acuerdo entre Samsung y Nvidia aun no esta firmado, pero aseguran que el fabricante asiático comenzará a suministrar los chips HBM3E de 8 capas durante el cuarto trimestre de este año.
Samsung no es el único fabricante de memorias de HBM3E, SK Hynix también es otro de los protagonistas que están desarrollando sus propias memorias. Incluso SK Hynix ya se encuentra trabajando en unas memorias de 12 capas. Las memorias de SK Hynix ya se han implementado en las GPU H200 y en las GPU Blackwell B100 de Nvidia. Sin embargo, Micron, que es el otro protagonista, comenzó la producción en masa incluso antes que SK Hynix, por lo que Samsung está llegando un poco tarde aquí.
SK Hynix hizo una estimación en el que esperan que los módulos HBM3E tengan una participación de hasta el 60% en las ventas totales de chips HBM durante el último trimestre de 2024. Os mantendremos informados.
