Qualcomm ha anunciado que ya está produciendo la primera generación de Silicio de Computación de Alto Ancho de Banda (HBC). De hecho, se espera que pueda llegar durante la primera mitad de 2028.
El silicio HBC de Qualcomm podría llegar durante la primera mitad de 2028
La compañía ha confirmado que su laboratorio de San Diego ha validado la primera generación de este silicio. Esto puede suponer un avance tremendo en la inteligencia artificial, ya que el chip es capaz de dominar el ancho de banda de la memoria de forma mucho más eficiente.
Qualcomm ha explicado que este era su objetivo principal, ya que cuando pasamos a una escala tan grande como la de los centros de datos, la energía y la latencia acababan pasando factura al rendimiento, al consumo e incluso al coste total. Sin embargo, con HBC se pretende resolver este problema.
Este diseño apila los chips LPDDR de bajo consumo sobre el chip base de acelerador de IA. Esto permite que los datos no tengan que realizar «tanto recorrido», lo que mejora el rendimiento. Concretamente, podría llegar a obtener un aumento x18 en el ancho de banda de la memoria LPDDR5X y más de x5 en el ancho de banda de la memoria HBM4.
No obstante, aunque se trate de una mejora impresionante, queda algo por debajo de las previsiones iniciales de Qualcomm. La compañía, inicialmente, había previsto que el rendimiento en la memoria HBM4 sería de x6 veces. No obstante, destacan que son estimaciones, por lo que el rendimiento final podría variar.
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En cuanto a cuándo podrían estar disponibles, se espera que el primer chip de Qualcomm en utilizar este silicio HBC podría producirse de cara al año 2028, aunque todavía no hay una fecha clara. Lo que sí sabemos es que el chip Dragonfly AI250 debutará previsiblemente durante la primera mitad de 2027.
