Micron se acerca a TSMC a través de las fábricas que tiene en Taiwán y en Asia, ya que confirmó en COMPUTEX que va a actualizar 3 de ellas: las de Taichung. Todo tiene su lógica en la tecnología EUV y en el nodo 1-alfa para la actual DRAM de la marca.
Sí, Micron es estadounidense, pero tiene varias fábricas por Japón, Singapur, China y Taiwán. Tened en cuenta que absorbieron varias empresas, pero la clave aquí es la actualización de una de sus 3 fábricas en Taichung con tecnología de litografía ultravioleta extrema a finales de 2022, como el nodo 1-beta y 1-alfa para Taiwán.
Micron acecha a TSMC con su litografía EUV
La culpa la tiene el proyecto de nodo 1-alfa y 1-beta que Micron quiere mover a la producción en volumen en 2023 dentro de sus fábricas de Taiwán cerca de TSMC. Idos acostumbrando a ver 1α o 1β junto a la nomenclatura nm porque esto es lo que nos espera en DDR4: un 15% menos de consumo en DRAM para dispositivos portátiles e incrementos de frecuencia.
Los avances de este proceso tecnológico es la densidad y la eficiencia: 40% y 10% de mejora respectivamente. Por un lado, Micron va a actualizar una de sus 3 fábricas en Taichung para implementar la litografía EUV a finales de este año. Sería una transición al nodo 1 gamma para sus memorias DRAM, que sería clave para ayudar a Micron a prepararse para implementar EUV.
El nodo 1α está basado en una tecnología DUV que ofrece la mejora de densidad del 40% que hemos hablado antes, respecto al nodo 1Z que usaban antes. El nodo 1Z estaba entre 11-13 nm, así que cabe esperar que el 1β esté por debajo de 10 nm.
La hoja de ruta de Micron contempla el nodo 1-delta, pero han decidido pasar a la acción directamente con el 1-gamma. Cabe la posibilidad de que Micron tenga el plan de migrar varias fábricas a EUV con el paso del tiempo, pero es cierto que la memoria RAM no se beneficia tanto de avanzar de nodos como vemos en las CPUs o GPUs.
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¿Qué os parecen los movimientos de Micron?
