En el mercado de SoC móvil, TSMC se está moviendo rápidamente cuando se trata de introducir nuevos nodos de proceso de fabricación. Hoy, el gigante tecnológico coreano Samsung ha anunciado sus planes para una variedad de nodos de proceso. Estos incluyen 5nm FinFET y una variación de 3nm GAAFET que Samsung ha registrado como MBCFET (Multi-Bridge-Channel-FET).
Samsung anuncia el proceso MBCFET de 3nm
Hoy, en el Samsung Foundry Forum de Santa Clara, la empresa ha anunciado los planes para su proceso de fabricación de semiconductores de próxima generación. El gran anuncio es para el desarrollo del GAA de 3nm de Samsung, apodado como 3GAE por la compañía. Samsung ha confirmado que lanzó kits de diseño para el nodo el mes pasado.
Samsung colaboró con IBM para los nodos de proceso GAAFET (Gate-All-Around), pero hoy la empresa ha anunciado sus adaptaciones al proceso anterior. Esto se denomina MBCFET y, según la compañía, permite una mayor corriente por pila al sustituir el nanocable de Gate All Around por un nanoesquema. La sustitución aumenta el área de conducción y permite la adición de más puertas sin aumentar la huella lateral. Datos muy técnicos, pero con un resultado que debería mejorar enormemente el desarrollo de FinFET.
Se espera que el diseño del producto del proceso FinFET de 5 nm de Samsung, que se desarrolló en abril, se complete en la segunda mitad de este año y se ponga en producción en masa en la primera mitad de 2020.
[irp]En la segunda mitad de este año, Samsung tiene previsto iniciar la producción en masa de dispositivos de proceso de 6 nm y completar el desarrollo del proceso de 4 nm. Se espera que el diseño del producto del proceso FinFET de 5 nm de Samsung, que se desarrolló en abril, se complete en la segunda mitad de este año y se ponga en producción en masa en la primera mitad de 2020.
