Sean Kang de Applied Materials ha hablado sobre las próximas generaciones de 3D NAND Flash en el International Memory Workshop (IMW) en Japón. La hoja de ruta dice que el número de capas en este tipo de memoria debería aumentar a más de 140, al mismo tiempo que deberían ser más delgados los chips.
Los avances en la memoria 3D NAND permitirán SSD de 120 TB
En la memoria 3D NAND las celdas de memoria no están en un plano, sino en varias capas una encima de la otra. De esta forma, la capacidad de almacenamiento por chip (matriz) puede incrementarse significativamente sin que el área del chip deba aumentarse o las celdas deban contraerse. Hace casi cinco años que apareció el primer 3D NAND, la V-NAND de primera generación de Samsung que tenía 24 capas. En la siguiente generación, se usaron 32 capas, luego 48 capas. Actualmente, la mayoría de los fabricantes han llegado a 64 capas, SK Hynix lidera con 72 capas.
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La hoja de ruta para este año habla de más de 90 capas, lo que significa un aumento de más de un 40 por ciento. Al mismo tiempo, la altura de una pila de almacenamiento debería aumentar solo un 20% aproximadamente, de 4.5 μm a aproximadamente 5.5. Esto se debe a que, al mismo tiempo, el espesor de una capa se reduce de aproximadamente 60 nm a aproximadamente 55 nm. Las adaptaciones al diseño de las celdas de memoria y la tecnología CMOS Under Array (CUA) ya utilizadas por Micron en 2015 son características clave de esta generación.
La hoja de ruta de Kang ve el siguiente paso para 3D NAND en más de 120 capas, algo que se logrará para 2020. Para 2021, se pronostican más de 140 capas y una altura de apilamiento de 8 μm, para ello será necesario el uso de nuevos materiales. La hoja de ruta no se ocupa de las capacidades de almacenamiento.
[irp]Actualmente, los fabricantes han llegado a 512 gigabits por matriz con tecnología de 64 capas. Con 96 capas se lograrán inicialmente 768 Gigabit y con 128 capas finalmente 1024 Gigabit, por lo que alrededor de un terabit es posible. La tecnología QLC de cuatro bits por celda también puede habilitar chips de terabits con una estructura de 96 capas. Samsung quiere lograr esto con la quinta generación de V-NAND e introducir sobre esta base los primeros SSD de 128 TB.
