El negocio de semiconductores de Samsung ha recibido un impulso inesperado en su planta estadounidense. La futura segunda planta de la compañía en Taylor, Texas (conocida como Taylor Fab 2), ya tiene asignada la totalidad de su capacidad de producción planificada en el nodo de 2 nanómetros, antes incluso de que comience formalmente a operar.
Samsung asegura la producción de 2 nm para AMD en Texas
El grueso de esta capacidad ha sido acaparado por AMD, que lidera con los mayores volúmenes de pedidos dentro de esta factoría. El acuerdo contempla que la planta texana se encargará de fabricar los dies lógicos base para las memorias HBM. Este tipo de memorias son importantísimas para las actuales y futuras aceleradoras de inteligencia artificial y de computación de alto rendimiento.
Aunque el volumen principal de memorias serian para AMD, la instalación también prevé atender encargos relacionados con Nvidia. Sin embargo, la participación a futuro con Nvidia presenta ciertos matices debido a su estrategia en torno al estándar propietario NVHBM, la cual podría desviar parte de sus bases hacia TSMC. A pesar de ello, el compromiso asegurado por AMD demuestra la urgencia de estos gigantes tecnológicos por hacerse con la capacidad de fabricar memorias en territorio americano.
Para Samsung, este desarrollo representa un alivio. Su división de fundición (foundry) ha venido enfrentando un periodo financieramente complejo y con pérdidas operativas, a pesar de los récords de ingresos de la corporación surcoreana gracias al auge de la memoria. Contar con un cliente del calibre de AMD en su complejo de Texas valida la apuesta de la compañía por su tecnología de proceso de 2 nm y fortalece su posición frente a TSMC, que s su principal competidor en este aspecto. Os mantendremos informados.
