Samsung anuncia con bombos y platillos el inicio de la producción en masa y el envío de sus primeras unidades de memoria HBM4.
HBM4: Samsung inicia la fabricación en masa de estas memorias
Estas memorias de alto rendimiento serán utilizadas por futuras tarjetas aceleradoras e IA, marcando una nueva era para este segmento que está en auge.
La nueva memoria HBM4 de Samsung no solo cumple con las expectativas de la industria, sino que las supera por mucho. Mientras que JEDEC establece una velocidad de 8 Gbps por pin, la solución de Samsung alcanza velocidades de transferencia de hasta 11.7 Gbps. Esto se traduce en un ancho de banda de hasta 3.3 TB/s por stack, lo que supone una mejora de 2.4 veces respecto a la generación anterior (HBM3E).
Este incremento en la velocidad es importantísimo para los aceleradores de IA de próxima generación, como la plataforma Vera Rubin de Nvidia, que requiere un flujo constante de datos para procesar modelos de lenguaje complejos y tareas de inferencia en tiempo real sin cuellos de botella en el proceso.
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Para lograr estas cifras, Samsung está utilizando su nodo proceso de fabricación de 4 nanómetros para matriz lógica inferior y utiliza DRAM de clase 1c (10nm de sexta generación). Esta combinación única no solo mejora el rendimiento, sino que también la hace más eficiente.
El regreso al trono de los semiconductores
Tras haber quedado algo atrás frente a competidores como SK Hynix en la era de las memorias HBM3E, Samsung ha acelerado sus plazos de desarrollo con HBM4. Con pedidos ya asegurados por parte de gigantes como Nvidia, AMD y Google, la firma espera que HBM4 sea el motor de su recuperación financiera en 2026, proyectando un crecimiento en ventas de memorias HBM superior al 180%.
Con este lanzamiento, Samsung no solo envía chips, sino un mensaje claro: la carrera por la supremacía en la infraestructura de la IA tiene un nuevo líder técnico.
