El boom de la inteligencia artificial sigue apretando la cadena de suministro de hardware a niveles insospechados. Con los centros de datos exigiendo una gran potencia de cálculo, las memorias de alto ancho de banda (HBM) se han convertido en la pieza más codiciada del mercado. Ante este escenario, Samsung se prepara para dar un salto en su capacidad de fabricación de chips HBM4 para el año 2027.
HBM4: Samsung prepara un aumento en la producción para 2027
Según los reportes de medios coreanos, Samsung planea multiplicar por 2,5 su producción de estas memorias. La señal más clara de esto está en la compra de insumos básicos. Samsung contempla elevar la adquisición de soportes de vidrio, fundamentales para sostener las obleas de DRAM durante el ensamblaje, desde las 20.000 unidades mensuales estimadas para 2026 hasta alcanzar las 50.000 unidades al mes en 2027. Para ponerlo en perspectiva, en 2025 apenas llegaban a las 10.000 mensuales.
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Estas memorias de última generación, conocidas como HBM4, están pensadas para alimentar la gama más avanzada de chips gráficos para IA de Nvidia, como la arquitectura Vera Rubin. Pero este movimiento no se limita a apilar más DRAM. Para responder a la complejidad de fabricación del estándar HBM4, la matriz o base die ubicada en el fondo del chip requiere ahora procesos de fabricación propios de los procesadores principales.
Por ello, Samsung está destinando una parte importante de su división de fundición (foundry) a este objetivo. La compañía está fabricando estas matrices base utilizando su nodo de 4 nanómetros e incluso evalúa adaptar sus líneas avanzadas de 2 nanómetros. La idea es aprovechar su ventaja única como empresa que diseña, fabrica y ensambla tanto las memorias como la lógica.
Samsung quiere asegurar su posición dominante en un mercado con inventarios al límite, donde la capacidad de entrega de memoria HBM determinará en gran medida el éxito de los fabricantes de memorias DRAM. Os mantendremos informados.
