El gigante de los semiconductores, TSMC, se está preparando para un salto importante en su capacidad de fabricación. Impulsada por la demanda insaciable de la Inteligencia Artificial y la computación de alto rendimiento (HPC), la compañía taiwanesa acelera la expansión de sus nodos de 2 y 3 nanómetros.
TSMC acelera la producción de los nodos de 2 nm y 3 nm
Para finales de 2026, la capacidad de producción mensual de TSMC alcanzará las 90.000 obleas en el proceso de 2 nanómetros y 180.000 obleas en el de 3 nanómetros. Sin embargo, los planes proyectados hacia la segunda mitad de 2027 revelan que esta cantidad va a aumentar. La capacidad para los 2 nm escalará hasta las 110.000 obleas mensuales, un incremento del 22%, superando la velocidad de crecimiento de la línea de 3 nm, que aumentará un 16% para situarse en 210.000 obleas al mes.
Este aumento en la capacidad de fabricación en los 2 nanómetros refleja el interés de las principales compañías tecnológicas por asegurar chips más eficientes y potentes para sus próximas generaciones de hardware, como los procesadores de Apple y las aceleradoras gráficas para centros de datos de Nvidia y AMD. Al mismo tiempo, la expansión del nodo de 3 nm recibe apoyo clave de la nueva infraestructura internacional de la firma, destacando su planta en Arizona, Estados Unidos, cuya producción avanzada va adelantada respecto a las previsiones iniciales.
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TSMC también ha reestructurado líneas de producción más maduras (como la tecnología de 4 nm) para convertirlas a 3 nm, respondiendo a una menor demanda en teléfonos móviles de gama media o entrada y redirigiendo recursos al sector de alto valor.
Este despliegue en la fabricación de silicio se complementa con planes para duplicar la capacidad de empaquetado avanzado CoWoS, una tecnología esencial para integrar memoria de alto ancho de banda y chips de procesamiento en una sola pieza. De esta manera, TSMC asegura la fabricación de los chips de próxima generación, que no solo darán vida al hardware de PC, también al hardware de la IA en los años venideros. Os mantendremos informados.
