SK Hynix está considerando cambiar de estrategia para la producción de sus próximas memorias HBM4E. Según reportes del medio South Korea Herald, la compañía surcoreana busca diversificar su red de proveedores y adoptar un esquema de suministro doble, donde Intel Foundry competiría directamente con TSMC para fabricar los base dies (o troqueles base) de estos módulos de alta velocidad.
HBM4E: SK Hynix planea utilizar a Intel Foundry para sus memorias
A diferencia de las generaciones anteriores, la memoria HBM4E incorpora una capa base con lógica personalizada sobre la cual se apilan los troqueles de DRAM tradicional. Esta arquitectura permite integrar directamente controladores de memoria y circuitos PHY dentro del base die, en lugar de alojarlos en el procesador principal. Con este diseño, los fabricantes de aceleradoras de inteligencia artificial pueden liberar espacio valioso en sus chips de cómputo para agregar más unidades de procesamiento, reduciendo la latencia y disparando el rendimiento general.
Te recomendamos nuestra guía sobre las mejores memorias RAM del mercado
Hasta la generación HBM3E,SK Hynix fabricaba sus propias bases usando nodos propietarios de clase 10 nm. Sin embargo, para HBM4 se recurrió al nodo de 12 nm de TSMC, y con HBM4E las exigencias de la industria demandan litografías aún más avanzadas. Es aquí donde entra en juego la división de fundición de Intel. Aunque tecnologías punteras como Intel 18A son una opción viable, el análisis financiero sugiere que la adopción de nodos maduros y eficientes como Intel 3 e Intel 4 resulta mucho más razonable ahora mismo.
Este acercamiento representa una excelente noticia para las ambiciones de Intel Foundry. En el evento Hot Chips, se reveló que SK Hynix ya validó sus diseños para operar con la tecnología de empaquetado EMIB-T de Intel. Además, el uso de vías a través de silicio (TSVs) permitirá una distribución de energía vertical en la pila de memorias, consolidando esta alianza como importantísima para impulsar la infraestructura de la inteligencia artificial.
