El fabricante de memoria SK Hynix ha sumado a Intel Foundry como un aliado clave para la fabricación de sus próximas generaciones de memoria HBM, como la futura HBM4.
SK Hynix apuesta por el empaquetado EMIB-T de Intel
Durante la conferencia Hot Chips, la firma surcoreana reveló que va a diversificar sus opciones de empaquetado avanzado. Aunque mantendrá su trabajo junto a TSMC (con sus tecnologías CoWoS-L, CoWoS-S y CoWoS-R), también va a incorporar formalmente el empaquetado EMIB de Intel en sus procesos.
La decisión es más por necesidad que por otra cosa, la industria necesita encontrar alternativas ante la altísima demanda y saturación que sufre la tecnología CoWoS de TSMC, que es el mayor fabricante de chips avanzados a día de hoy. En este escenario, la variante EMIB-T de Intel destaca por integrar vías a través de silicio (TSV). Estas vías permiten la entrega vertical de energía a través de varios chips apilados. Esta arquitectura encaja perfectamente con el diseño de módulos de memoria 3D que busca implementar SK Hynix para alimentar aceleradoras de inteligencia artificial de última generación.
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A medida que las memorias HBM4 pasan de 1024 a 2048 pines y requieren interconexiones mucho más complejas, se vuelve fundamental el uso de empaquetado 2.5D y 3D DRAM con “hybrid bonding”. Aquí es donde Intel juega un papel importante, que es el costo. Según estimaciones del sector, la tecnología EMIB-T puede resultar hasta un 50% más económica que el proceso CoWoS tradicional, principalmente al evitar el uso de interponedores de silicio de gran tamaño y un precio elevado.
Este ahorro de costos supone un beneficio para ambas empresas. Para Intel Foundry significa la validación de sus procesos de empaquetado por parte de un gigante de la industria. Para SK Hynix y sus clientes, implica liberar presupuesto en la cadena de producción, pudiendo reinvertir ese capital en integrar más capacidad de memoria HBM dentro de los chips de IA sin disparar aún más los costos. Os mantendremos informados.
