La firma surcoreana SK Hynix ha reactivado formalmente sus planes de expansión en territorio chino. Según un informe de SE Daily, la compañía ha reiniciado la inversión en su planta Dalian Fab 2, un proyecto suspendido durante la última recesión del mercado de memorias NAND y DRAM.
SK Hynix: +50% de producción de memoria NAND en China para 2027
Tras haber completado la construcción de la infraestructura a principios de este año, la compañía planea instalar el equipamiento especializado antes de que finalice 2026, con miras a iniciar las operaciones comerciales durante el primer semestre de 2027.
Esta instalación estará bajo el control de Solidigm, la subsidiaria constituida por SK Hynix tras la adquisición del negocio de memorias NAND de Intel en 2021. Se estima que la nueva planta alcanzará una capacidad de aproximadamente 50.000 obleas mensuales. Esto incrementará en un 50% la producción total del complejo de Dalian al combinarse con las plantas Fab 1 y Fab 2.
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La estrategia de SK Hynix establece una clara diferenciación entre sus centros productivos. Debido a las restricciones internacionales sobre la exportación de herramientas avanzadas de litografía ultravioleta extrema (EUV) hacia China, el complejo de Dalian se enfoca exclusivamente en la fabricación de memorias NAND de propósito general de 100 capas, empleando la tecnología de puerta flotante (Floating Gate) heredada de Intel. Por su parte, los desarrollos tecnológicos más avanzados y las memorias de capacidad superior se mantienen concentrados en Corea del Sur.
El incremento de la capacidad productiva en Dalian representa un paso importantísimo para aliviar el desabastecimiento mundial de memorias flash. Aunque se prevé que los precios de los chips NAND y las unidades SSD sigan siendo altos durante el próximo año, el incremento paulatino de la oferta para 2027 contribuirá a estabilizar el mercado. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.
