El fabricante chino de memoria DRAM, CXMT (ChangXin Memory Technologies), está ejecutando un agresivo movimiento estratégico para ser uno de los líderes en la fabricación de memorias DDR6 cuando se lancen allá por los años 2028 y 2029.
CXMT quiere competir fuertemente en el futuro con sus memorias DDR6
El objetivo principal es desafiar el histórico dominio de gigantes surcoreanos como Samsung y SK hynix en el mercado de semiconductores.
Para lograr una transición eficiente desde el estándar DDR5, CXMT ha integrado a su cadena de suministro a Haesung DS, una destacada firma especializada en sustratos de empaquetado que superó las pruebas de calificación de calidad en el primer trimestre de 2026. A diferencia de las memorias DDR4 y DDR5 actuales, que emplean el económico método de producción Reel-to-Reel debido a su diseño de capas simples o bajas, la memoria DDR6 exigirá una arquitectura multicapa más compleja.
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Para evitar problemas de rendimiento y caídas en la tasa de chips funcionales, Haesung DS implementará un nuevo proceso basado en paneles. Aunque teóricamente es posible utilizar el método anterior, la rentabilidad y la eficiencia disminuyen a medida que se añaden capas de circuitos, por lo que aquí Haesung DS será fundamental.
Este avance llega en un momento ideal. La escasez de memoria DRAM y el aumento generalizado de precios han convertido a CXMT en una alternativa muy interesante para las compañías de todo el mundo. A pesar de que sus chips DDR5 aún rinden ligeramente por debajo de las variantes de SK hynix a velocidades equivalentes, el mercado observa con atención su evolución. Gigantes de la industria como Apple ya se encuentran realizando pruebas con los chips de la firma china. Este respaldo comercial es un fuerte incentivo para acelerar el desarrollo de las futuras memorias DDR6, con el que la compañía China quiere ser un competidor fuerte en los próximos años. Os mantendremos informados.
