Kevin Zhang, vicepresidente senior de TSMC, confirmó que el desarrollo de su próximo nodo de 2 nanómetros (N2) está superando las expectativas, logrando multiplicar por cuatro el número de diseños completados en comparación con su predecesor de 3 nm (N3) en la misma etapa.
TSMC: su nuevo proceso N2 promete hasta +30% de eficiencia
Este nuevo nodo de proceso está contando con los nuevos transistores GAAFET, que sustituye al diseño FinFET tradicional. El nuevo nodo N2 promete mejoras importantes de eficiencia y potencia, siendo capaz de ofrecer un incremento del 15% en el rendimiento con el mismo nivel de consumo eléctrico, o bien una reducción del consumo de hasta el 30% a la misma velocidad de reloj. Además, la densidad de transistores aumenta un 15%, facilitando el diseño de chips más compactos o con mayor potencia bruta.
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Aunque la producción en volumen comenzó a finales de 2025, el nodo de 2 nm representa actualmente sólo un 3% de los ingresos de TSMC, frente al 30% de los 3 nm y el 33% de los 5 nm. Sin embargo, se espera un cambio radical en los próximos trimestres a medida que los clientes clave comiencen a recibir sus pedidos. Entre los primeros en adoptar esta litografía se encuentran gigantes como Apple, que la implementará en sus chips A20 Pro para la línea iPhone 18 Pro, y AMD, con sus futuros procesadores de servidor EPYC «Venice».
Con el fin de consolidar esta tecnología a largo plazo, TSMC planea expandir la familia de 2 nm en los próximos años. Tras el debut de N2, se espera la variante optimizada N2P hacia finales de este año, seguida por el nodo N2X de alto rendimiento en 2027 y la versión de ultra bajo consumo N2U en 2028.
