Samsung anuncia el desarrollo de su primera solución de memoria UFS 5.0 (Universal Flash Storage 5.0). Este avance promete transformar por completo el rendimiento de los dispositivos móviles de próxima generación, alcanzando una velocidad de lectura secuencial sin precedentes de hasta 10,8 GB/s y una velocidad de escritura secuencial de 9,5 GB/s.
UFS 5.0: Samsung duplica la velocidad móvil alcanzando 10 GB/s
Estas cifras suponen una evolución para la industria, ya que la nueva tecnología duplica el rendimiento de la especificación anterior, el UFS 4.1. Samsung ha logrado este incremento en las tasas de transferencia gracias a la integración del estándar de interfaz de memoria integrada de JEDEC (anunciado a finales de 2025), el cual aprovecha la capa física M-PHY 6.0, el protocolo UniPro 3.0 y una señalización PAM4 optimizada para reducir el cuello de botella.
Diseñado por y para la Inteligencia Artificial «On-Device»
El principal impulsor de USF 5.0 no es otro que la Inteligencia Artificial generativa ejecutada de forma local (on-device AI). Los smartphones, la realidad extendida (XR) y dispositivos integrados del futuro cercano necesitan acceder a modelos de lenguaje grandes y datos locales de manera más rápida que nunca. Con un ancho de banda que compite directamente con las unidades SSD NVMe de los PC de sobremesa más potentes, la memoria UFS 5.0 garantizará el uso de la IA de forma fluida y sin latencias.
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Más eficiente y compacto
A pesar del notable incremento en el rendimiento, Samsung ha puesto especial foco en el consumo eléctrico. El nuevo chip es un 40% más eficiente en comparación con UFS 4.1, un logro alcanzado mediante la implementación de técnicas de clock gating (bloqueo de reloj) y tecnologías de voltaje múltiple.
Además, la firma surcoreana ha reducido su tamaño físico. El encapsulado mide apenas 7,5 mm × 13 mm × 0,9 mm, lo que representa un diseño un 16,7% más pequeño que su predecesor, liberando más espacio en el interior de los teléfonos móviles.
Disponibilidad
De acuerdo con la hoja de ruta de Samsung, la producción en masa de estos nuevos chips (en capacidades que escalarán hasta 1 TB) está programada para el cuarto trimestre de 2026, con la idea de que se implemente en los primeros dispositivos al principio del año 2027.
