Samsung ha dado a conocer un desarrollo que podría transformar el futuro de la memoria DRAM. La compañía surcoreana ha conseguido reducir el tamaño de las celdas en un 50% gracias a su nuevo proceso sub-10nm, denominado 10a, lo que permitirá fabricar chips con más capacidad, más rápidos y más eficientes.
Samsung logra un avance decisivo en la memoria DRAM
Para lograrlo están utilizando la tecnología Vertical Channel Transistor (VCT), una arquitectura que coloca los capacitores encima de los transistores en lugar de a su lado. Este cambio posibilita la transición de las tradicionales celdas 6F² (3F x 2F) a un diseño más compacto de 4F² (2F x 2F). El resultado es una reducción del área de cada celda, lo que abre la puerta a integrar entre un 30% y un 50% más de celdas DRAM en cada chip. Esto se traduce en unidades con mucha mayor capacidad que ahora.
Por un lado, se espera una mayor productividad por oblea de silicio, lo que incrementará la eficiencia de fabricación y reducirá costos a largo plazo. Por otro, la densidad adicional permitirá que los futuros módulos de memoria ofrezcan mayor capacidad y también velocidad. La eficiencia energética mejorada será clave en aplicaciones de inteligencia artificial y el denominado big data, donde la demanda de memoria rápida y abundante es cada año mayor.
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Samsung ya ha producido un módulo funcional bajo este nuevo proceso. Sin embargo, la compañía aclara que aún se encuentra en fase de desarrollo, ajustando las condiciones de fabricación para garantizar un rendimiento estable y escalable. Es por eso que la producción en masa todavía tardará en llegar, por lo que no resolverá la actual escasez de DRAM en el mercado.
Esto posiciona muy bien a Samsung frente a competidores como SK Hynix y Micron, dándoles una ventaja que sería clave para el futuro de las memorias DRAM. Os mantendremos informados.
