La compañía NEO Semiconductor, con sede en Estados Unidos, ha introducido la revolucionaria tecnología 3D X-DRAM. La promesa de esta tecnología es la de aumentar la densidad de células de memoria con una implementación rápida por parte de los fabricantes.
3D X-DRAM: Aumentará la capacidad de las memorias RAM, 8 veces por década
Las memorias 3D X-DRAM quiere aumentar la densidad de células de memoria, para aumentar la capacidad de las memorias DRAM, con algunas técnicas que son similares a las utilizadas por las actuales memorias 3D NAND, utilizadas en los discos de almacenamiento sólidos. La tecnología no solo permitiría memoria RAM de mayor capacidad, tambien promete que su implementación será sencilla para lo fabricantes, ya que solo requiere de una nueva máscara durante el proceso de grabado, por lo que puede fabricarse con los procesos 3D NAND existentes.
«3D X-DRAM™ está llamada a ser el catalizador de crecimiento definitivo para el sector de los semiconductores», declaró Andy Hsu, fundador y CEO de NEO Semiconductor, que cuenta con más de 120 patentes estadounidenses. «NEO se perfila como un claro líder en el mercado de las DRAM 3D, ya que nuestra invención ofrece una fabricación y un escalado sencillos y rentables en comparación con las soluciones actuales. La industria puede anticipar mejoras de densidad y capacidad de 8X por década con 3D X-DRAM».
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La tecnología 3D X-DRAM alcanza una densidad de 128 Gb con 230 capas, lo que representa multiplicar por 8 la densidad de la DRAM actual. Los beneficios de estos son claros, y quizás podríamos ver memorias alcanzando los 512 GB y más en el futuro.
Parece que las memorias RAM ‘3D’ será el futuro de este tipo de memorias para alcanzar capacidades más grandes rápidamente, como ocurrió con las memorias NAND y la implementación del 3D. Os mantendremos informados.
