Intel planea ir más allá de sus diseños de transistores FinFET, con la esperanza de hacer la transición a un nuevo diseño de transistores llamado GAAFET, que tiene como objetivo ofrecer niveles de eficiencia más elevados y un mejor rendimiento del silicio. Estos transistores son llamados por Intel como ‘Nanoribbon’.
Intel ‘Nanoribbon’, los futuros transistores GAAFET de la compañia
El GAAFET de Intel se hace llamar «Nanoribbon», un nuevo diseño que permite mejorar las características de diseño de los transistores FinFET actuales. Samsung ya ha revelado sus propios transistores de estilo GAAFET con sus diseños planificados de 3nm MBCFET (Nanosheet), que entrarán en producción de riesgo en 2020.
Los transistores GAAFET lleva la idea de los transistores FinFET al siguiente nivel, ofreciendo tridimensionalmente una cobertura completa (de ahí el GAA, Gate-All-Around) del canal del transistor. FinFET, en un sentido básico, coloca una aleta dentro de la PUERTA que tiene tres de cuatro lados cubiertos, mientras que los transistores GAAFET tienen todos los lados cubiertos. Esta cobertura mejorada puede ayudar a reducir las pérdidas de energía y aumentar las características de rendimiento/vatios de un transistor.
Con el apilamiento de las nanoplacas y la alteración de su anchura, Intel tiene mucha versatilidad con sus transistores GAAFET basados en Nanoribbones.
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De acuerdo con un informe de Anandtech, el CTO de Intel, Mike Mayberry, ha declarado que la tecnología de Nanoribbones de la compañía entrará en producción de alto volumen en los próximos cinco años.
Intel planea entregar productos usando su proceso de 7nm en 2021, comenzando con los aceleradores HPC Ponte Vecchio. Además, Intel ha mejorado los nodos de 7nm planeados para 2022 y 2023, por lo que sus transistores GAAFET podrían ser utilizados por primera vez en los nodos de 5 nm.
