Memorias

Samsung desarrolla la primera DRAM de 10 nm de tercera generación

Samsung anunció hoy que ha desarrollado por primera vez en la industria una DRAM de 10 nanómetros (1z-nm) de ocho gigabits (Gb) de doble velocidad de datos DDR4 de tercera generación.

Samsung es pionera en la fabricación de memorias DRAM

DRAM

A sólo 16 meses desde que comenzó a producir en masa la segunda generación de la clase 10nm (1y-nm) 8Gb DDR4, el desarrollo de 1z-nm 8Gb DDR4 sin el uso del procesamiento Extremo Ultravioleta (EUV) ha empujado aún más los límites de la escala de la DRAM.

A medida que 1z-nm se convierte en el nodo de proceso de memoria más pequeño de la industria, Samsung está preparado para responder a las crecientes demandas del mercado con su nueva DRAM DDR4 que tiene una productividad de fabricación de más de un 20% superior en comparación con la versión anterior de 1y-nm. La producción en masa del DDR4 de 1z-nm y 8Gb comenzará en la segunda mitad de este año para dar cabida a la próxima generación de servidores empresariales y PCs de gama alta que se espera que sean lanzados en 2020.

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El desarrollo de la DRAM 1z-nm de Samsung allana el camino también para la próxima generación de memorias DDR5, LPDDR5 y GDDR6, que son el futuro de la industria. Los productos 1z-nm con mayor capacidad y rendimiento permitirán a Samsung fortalecer su competitividad y consolidar su liderazgo en el mercado de las memorias DRAM ‘premium’ para aplicaciones que incluyen servidores, gráficos y dispositivos móviles.

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Samsung aprovecho la ocasión para decir que aumentara parte de su producción de memoria principal en la planta de Pyeongtaek, en Corea, para satisfacer la creciente demanda de la DRAM.

Fuente
Techpowerup

Gustavo Gamarra

Soy operador de PC e instalador de redes informáticas , redactor y escritor en mis ratos libres. Amante de la tecnología, el cine, el fútbol y los videojuegos. Les escribo desde Buenos Aires, Argentina.
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