TSMC, líder mundial en fabricación de semiconductores y que está a la vanguardia de la producción de 7 nanómetros, acaba de anunciar que está progresando con su segunda generación de tecnología de 7 nm «N7 +», utilizando EUV (litografía de ultravioleta extrema).
TSMC ya trabaja con éxito con la tecnología EUV y apunta a los 5 nm para 2019
TSMC ya ha grabado con éxito un primer diseño N7 + de un cliente no identificado. Aunque todavía no es totalmente EUV, el proceso N7 + verá un uso limitado de EUV para hasta cuatro capas no críticas, lo que le da a la compañía la oportunidad de descubrir cómo hacer el mejor uso de esta nueva tecnología, cómo aumentar la producción en masa, y cómo solucionar los pequeños problemas que aparecen tan pronto como te mueves del laboratorio a la fábrica.
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Se espera que la nueva tecnología genere entre un 6 y un 12% menos de consumo, y una densidad un 20% mejor, lo que podría ser especialmente importante para los dispositivos más limitados como los smartphones. Moviéndose más allá de los 7 nanómetros, el objetivo de TSMC es de 5 nm, llamado internamente «N5». Este proceso utilizará EUV en hasta 14 capas y se espera que esté listo para la producción en masa en abril de 2019.
Según TSMC, muchos de sus bloques de IP están listos para N5, con la excepción de PCIe Gen 4 y USB 3.1. En comparación con los diseños N7, que tienen costes iniciales en el rango de 150 millones, se espera que el coste para N5 aumente aún más, hasta 250 millones.
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