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Snapdragon 835 ve filtradas sus características: 8 cores y 10 nm FinFET

Qualcomm quiere empezar el año dando un buen golpe de autoridad en el jugoso mercado de los smartphones, y no hay mejor forma de hacerlo que anunciando el que será su nuevo procesador tope de gama. El Qualcomm Snapdragon 835 dará vida a una nueva generación de dispositivos más capaces que nunca gracias a sus ocho núcleos de alto rendimiento y la eficiencia del proceso a 10 nm FinFET.

 

El Snapdragon 835 será anunciado la semana que viene en el CES 2017, el nuevo procesador se fabrica con el avanzado proceso a 10 nm FinFET de segunda generación para dar un importante salto en eficiencia energética. Gracias a ello el procesador consumirá un 20% menos que el Snapdragon 820 pese a ser claramente superior con la inclusión de un total de ocho núcleos Kryo 280 que se ven divididos en dos clúster de cuatro núcleos a 2.45 GHz y 1.90 GHz.

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En el apartado de los gráficos encontramos la GPU Adreno 540 para ofrecer un gran rendimiento en videojuegos y compatibilidad con las APIs más modernas como DirectX 12 y Vulkan. Seguimos con un DSP Hexagon 690 que permite la reproducción de contenido a resolución 4K y 60 FPS. La información filtrada se completa con la conexión 4G LTE Cat.16 con una velocidad de descarga máxima de 1.000 Mbps.

Fuente: videocardz

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Sobre Juan Gomar

Soy un apasionado de la tecnología en general pero principalmente de la informática y los videojuegos.

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