La carrera por el liderazgo en la memoria de alto ancho de banda HBM alcanza un nuevo capítulo con la presentación de las memorias HBM4E de SK Hynix.
HBM4E: SK hynix los presenta con un ancho de banda de 4.0 TB/s
Estas nuevas memorias prometen transformar el panorama del hardware para centros de datos de inteligencia artificial, con una mejora en el ancho de banda y también en la capacidad.
El avance más destacado de la memoria HBM4E se encuentra en su densidad de matriz de 32 Gb, lo que representa un aumento del 33% en comparación con el estándar HBM4 convencional. Gracias a esta optimización, SK Hynix es capaz de alcanzar una capacidad de 48 GB utilizando únicamente configuraciones de 12 capas apiladas (12-Hi). En contraste, la memoria HBM4 actual requiere de un diseño más complejo de 16 capas (16-Hi) para igualar esa misma capacidad.
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Además de las mejoras en la densidad, la memoria HBM4E alcanza velocidades de pin de hasta 16 Gbps, logrando un incremento del 37% respecto a las especificaciones base de HBM4. Este salto de velocidad impulsa el ancho de banda total de la memoria hasta una cifra récord de 4.0 TB/s por módulo. Están memorias están diseñadas para integrarse en las aceleradoras gráficas más potentes de la industria, y se espera que haga su debut oficial el próximo año acompañando a las GPUs de arquitectura «Rubin Ultra» de Nvidia.
Por otra parte, la compañía aprovechó el evento para exhibir tecnologías complementarias. Entre ellas destaca la memoria AI-N B, un concepto que utiliza vías a través de silicio (TSV) para apilar matrices NAND logrando anchos de banda similares a HBM con capacidades de almacenamiento bastante grandes. También aprovecharon la ocasión para presentar un módulo LPCAMM2 de 96 GB basado en LPDDR5X (orientado a PC con IA) y sus nuevas unidades de estado sólido basadas en la tecnología V9 NAND en configuraciones QLC y TLC.
El avance con las memorias HBM sigue avanzando, siendo muy importantes para la evolución de las aceleradoras de IA. Os mantendremos informados.
