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Memorias LPDDR5X de SK hynix consigue reducir el consumo un 25% y aumentar la velocidad hasta 8.5 Gbps

SK hynix ha anunciado recientemente una memoria RAM LPDDR5X que será más eficiente energéticamente y también más rápida. Esta memoria se instalará en futuros dispositivos móviles y otros equipos que necesiten reducir su consumo, como los portátiles con memoria RAM integrada. Así que este nuevo hito conseguido por los ingenieros de esta compañía es toda una hazaña.

SK Hynix LPDDR5X ¿Cómo lo han conseguido?

chips SK Hynix

Todo esto se ha conseguido gracias a un proceso para crear puertas HKMG (High-K Metal Gate). Esto permite contar con un mayor ancho de banda y un menor consumo de energía.

SK hynix afirma que ha utilizado un material dieléctrico con una elevada constante k como película aislante entre el contacto de la puerta y el resto del transistor. Así es como se han constituido estos nuevos transistores para las celdas DRAM de esta LPDDR5X.

Este método reduce las fugas de corriente y mejora la capacitancia, reduciendo el consumo eléctrico, y derivado de estas mejoras viene un aumento de la velocidad. Por ello, SK Hynix afirma que ha conseguido alcanzar una reducción de consumo de nada menos que un 25%. Para hacerte una idea, se puede comparar con los chips LPDDR5X de Samsung, que solo vieron reducido su consumo en un 20%. Además, SK Hynix ha hecho posible que ofrezcan una velocidad de hasta 8,5 Gbps.

«La planificación de un nuevo producto suele comenzar con varios años de antelación. Al planificar LPDDR5X, no fue fácil cumplir la especificación de 8,5 Gbps. Varios departamentos internos tenían opiniones divergentes sobre cómo cumplir esta especificación, pero confiamos en nuestras capacidades y completamos con éxito el desarrollo del LPDDR5X más rápido del sector a tiempo.»

La nueva memoria RAM LPDDR5X de SK Hynix también puede funcionar con rangos de voltaje muy bajos, de 1.01 a 1.12v, como los establecidos por JEDEC (Consejo Conjunto de Ingeniería de Dispositivos Electrónicos). Ese voltaje también es causa de la mejora de la puerta de los transistores, como he comentado anteriormente.

En cuanto a las velocidades mencionadas, SK hynix afirma que ha logrado mejorar en un 33%la velocidad con respecto a la generación LPDDR5, esto iguala a los chips LPDDR5X de Samsung, pero al consumir un 5% menos, suponen una gran ventaja respecto a su competidor más directo.

memoria LPDDR5X

Lo que SK hynix no ha mencionado es los clientes que podrán disponer de esta nueva generación de memoria RAM LPDDR5X. Pero, es muy probable que uno de los primeros en usarlos sea Apple para sus portátiles MacBook Pro de nueva generación. Así, junto con sus chips M-Series, podrá conseguir ahorros de batería muy importantes. A parte de todo esto, no tenemos más información sobre las compañías que podrían utilizar esta nueva tecnología. Pero seguro que en unos meses comienzan a aparecer más detalles al respecto.

¿Qué es el dieléctrico de alto k?

Los dieléctricos de alta constante se comenzaron a estudiar hace años, para su implementación en los chips con transistores fabricados en tecnologías por debajo de los 100nm. Muchos materiales de alta constante dieléctrica muestran constantes dieléctricas elevadas deseables para su uso como aislantes de puerta en transistores de silicio de tamaños más pequeños.

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Estos dieléctricos han venido a sustituir a los aislantes de puertas basados en dióxido de silicio que se usaban anteriormente, consiguiendo mejores resultados, gracias a poder reducir el grosor de la capa más allá de lo que se podía hacer con el SiO2 sin que se generan problemas.

Isaac Romero Torres

Más de una década trabajando en el ámbito de la investigación sobre arquitecturas y microarquitecturas de CPUs, de la electrónica, la lógica digital, de los sistemas operativos Unix (con los que trabajé como asesor para algunas empresas), programación de MCUs, PLCs, hacking, etc.
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