Salta la alarma en las fábricas de CXMT: casi el 80 % de sus chips de memoria HBM3 acaban descartados

Últimamente, CXMT está en boca de todos. Ahora, tenemos que hablar sobre la producción de memoria de alto ancho de banda dentro de la compañía china, que afronta serias dificultades. Según recoge el medio Wccftech a partir de un informe publicado en la prensa coreana, la compañía china registra una tasa de rendimiento de entre el 25 % y el 30 % en sus módulos HBM3 de 8 capas. Estos problemas implican que cerca de 80 de cada 100 chips fabricados no logran superar las evaluaciones de calidad pertinentes.

A diferencia de los módulos DRAM tradicionales, la arquitectura de la memoria HBM requiere apilar hasta 16 capas superpuestas. Para conectar estos niveles con la matriz base del procesador, los técnicos deben perforar orificios verticales microscópicos denominados TSV. Las fuentes consultadas por el medio señalan que la empresa encuentra graves obstáculos para trasladar su experiencia previa en memorias estándar a este proceso de integración vertical.

CXMT tiene dificultades técnicas en el empaquetado TSV

El diseño utilizado por la firma asiática requiere practicar aproximadamente 3.000 perforaciones TSV en cada unidad. El informe destaca que el fabricante experimenta fallos persistentes tanto en la colocación de estos canales de transmisión como en la unión física de las distintas capas de silicio. De este modo, únicamente el 70 % de las unidades que superan la primera criba consigue la autorización final tras las fases complementarias de evaluación técnica.

El empaquetado avanzado es el principal cuello de botella de este formato de memoria. Para las próximas generaciones de módulos HBM4, fabricantes consolidados como SK hynix exploran la tecnología de enlace híbrido. Este sistema elimina las microprotuberancias situadas bajo cada nivel de memoria en favor de compuestos de relleno especiales. Esta transición exige entornos de sala blanca extremos y superficies completamente lisas para impedir que cualquier impureza degrade el comportamiento de la pila.

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La demanda de memoria HBM continúa disparada por culpa de la IA. Por eso, absorbe gran parte de la capacidad industrial debido a la expansión de centros de datos de inteligencia artificial. En vista de este panorama, aún dominado por proveedores internacionales como SK hynix, Micron y Samsung, CXMT había ganado cuota suministrando chips DRAM convencionales a empresas locales mientras sus rivales centraban sus líneas en el desarrollo de memorias apiladas.