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Intel detalla 18A-P, su nodo mejorado sobre 18A con más frecuencia y menor consumo en el mismo espacio

El nodo 18A-P de Intel llega a producción de riesgo con una nueva arquitectura dual-contact y mejoras térmicas para chips de 2027

Intel ha compartido nuevos detalles sobre 18A-P, una evolución de su nodo 18A pensada para reforzar su oferta de fundición. La compañía lo ha presentado en VLSI 2026 como una pieza clave para clientes externos y también para sus propios productos. De hecho, Intel ya ha confirmado que los futuros Xeon 7 Diamond Rapids se fabricarán con este proceso y llegarán en 2027.

Sobre el papel, 18A-P mejora a 18A en rendimiento y eficiencia. Intel asegura que ofrece un 9 % más de rendimiento al mismo consumo o un 18 % menos de consumo al mismo nivel de rendimiento. La referencia usada por la compañía es un subbloque estándar de núcleo Arm. Además, mantiene la misma base tecnológica de transistores GAA y alimentación trasera, lo que permite reutilizar IP y flujos de diseño ya preparados para 18A.

Crédito: wccftech.com

La gran novedad del nodo es Power Boost, una arquitectura de doble contacto que Intel presenta como la primera de este tipo en la industria. Su objetivo es claro: aumentar la corriente y elevar la frecuencia sin ampliar la huella del chip. Esta función se apoya en PowerVia, el sistema de alimentación por la parte trasera del wafer, y se aplica tanto a transistores NMOS como PMOS.

Más margen térmico y una propuesta muy enfocada a IA y computación eficiente

Crédito: wccftech.com

Intel también ha puesto el foco en la parte térmica. 18A-P mejora entre un 20 % y un 40 % la resistencia térmica gracias a cambios en materiales y diseño, siempre que se use un flujo EDA más avanzado. A eso se suma una reducción del 10 % al 30 % en la resistencia de las vías verticales del chip, algo importante para la transmisión de energía y señales en diseños más complejos.

La compañía cree que este nodo será especialmente útil en IA, HPC y cargas de trabajo de bajo voltaje. También añade nuevas opciones de transistor para bajo consumo y alto rendimiento, así como una quinta pareja lógica de Vt para dar más flexibilidad a los diseñadores. En paralelo, Intel sigue investigando otras líneas como GaN híbrido, CFET y nuevas interconexiones con rutenio y airgap, pero 18A-P es el nodo que más cerca está de convertirse en producto real.

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Finalmente, otro punto importante es la compatibilidad. 18A-P mantiene reglas de diseño compatibles con 18A, lo que reduce barreras para clientes que ya estén trabajando con ese nodo. Esa continuidad es clave si Intel quiere ganar tracción en su negocio de fundición frente a rivales más asentados.

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