Samsung mejorará gradualmente su proceso GAA de 2 nm para competir contra TSMC

Samsung avanza a pasos firmes en el desarrollo de su proceso de fabricación GAA (Gate-All-Around) de 2 nm, con el objetivo de posicionarse como una alternativa viable frente al dominio de TSMC.

Samsung mejorará gradualmente su proceso GAA de 2 nm

Aunque actualmente no representa una amenaza directa para el gigante taiwanés, la compañía surcoreana está realizando mejoras graduales centradas en dos frentes: aumento del rendimiento (yield) y reducción de costos.

Este enfoque estratégico ha llevado a Samsung a retrasar su nodo de 1.4 nm para enfocarse completamente en la tecnología de 2 nm. Según fuentes como Chosun y filtraciones @Jukanlosreve, la demanda para este nodo se mantendría activa al menos durante los próximos tres a cuatro años. Durante este período, Samsung también trabajará en mejorar la disipación térmica y estabilizar el rendimiento de los chips fabricados con esta litografía.

Actualmente, los rendimientos de Samsung en 2nm GAA rondan el 70%, lo que representa una brecha de 20 a 30 puntos respecto a los de TSMC. Sin embargo, estas cifras superan las expectativas conservadoras iniciales de la compañía. La producción en masa está prevista para la segunda mitad de 2025, con líneas ya en construcción en su planta de Pyeongtaek y otras localizaciones.

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Además, Samsung tiene planeado lanzar versiones mejoradas de este nodo, comenzando con una segunda generación ya diseñada y una tercera versión denominada ‘SF2P+’, que se introduciría en un plazo de dos años. Todavía no sabemos si se fabricará en las plantas actuales o en nuevas instalaciones.

Con un historial mixto y la desconfianza de algunos clientes, Samsung sabe que deberá ofrecer precios competitivos y fiabilidad para ganarse un lugar frente al gigante TSMC. Os mantendremos informados.