Intel trae buenas noticias en su división de fabricación. Su nodo de proceso de 1.4 nanómetros, denominado 14A, está mostrando una curva de reducción de defectos más rápida de lo previsto. Según datos recientes, el proceso avanza entre tres y cuatro trimestres por delante respecto a la trayectoria que registró en su momento el nodo 18A, lo que abre la puerta a un lanzamiento comercial anticipado.
En la industria de los semiconductores, la densidad de defectos (o D0) mide la cantidad de imperfecciones por área en un oblea de silicio. Reducir este indicador es vital ya que a menor densidad de defectos, mayor es la tasa de chips funcionales que se obtienen por oblea (rendimiento). En el caso de 14A, Intel logró bajar el D0 a 0.5 hacia mediados de año y apunta a colocarse entre 0.1 y 0.2 para inicios de 2027. De mantenerse este ritmo, el nodo podría estar listo para producción en masa durante la primera mitad de 2028, adelantándose al calendario inicial previsto para la segunda mitad de ese año.
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El propio David Zinsner, director financiero de la compañía, destacó que el nodo 14A registra el ritmo de mejora más rápido visto desde la era de los 22 nm en 2012. Esta aceleración no es casualidad. Intel ya tropezó y solucionó los retos más complejos al desarrollar el nodo 18A, donde tuvo que perfeccionar la arquitectura de transistores Gate-All-Around (RibbonFET) y la entrega de energía por la parte posterior del chip (PowerDirect). Toda esa experiencia previa sirvió para allanar el camino de 14A.
Este logro coincide además con movimientos estratégicos en las finanzas de la empresa. Tras levantar capital recientemente, la directiva ha dejado claro que solo expandirá la capacidad de sus fábricas más avanzadas cuando asegure pedidos firmes para el nodo 14A. El vertiginoso avance en la madurez del proceso es la mejor carta de presentación para atraer a grandes clientes y competir de tú a tú en el mercado de fundición frente a gigantes como TSMC, que actualmente lidera el mercado.
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