El fabricante chino CXMT (ChangXin Memory Technologies) ha dado un golpe en la industria de memorias DRAM logrando que sus modelos rompan la barrera de los DDR5-8800.
En una reciente exhibición de overclocking realizada por la marca Colorful, módulos de memoria con chips de CXMT lograron romper la barrera de los DDR5-8800 sobre la plataforma X870E de AMD.
Durante las pruebas, los kits de memoria iGame Shadow II de Colorful alcanzaron velocidades de hasta DDR5-8812 en configuración de 32 GB (2×16 GB) y DDR5-8817 en 48 GB (2×24 GB). El logro resulta muy interesante en los módulos de 16 GB, un formato donde escalar a velocidades tan altas suele ser más complejo que en configuraciones de 24 GB.
Lo llamativo de esto se encuentra en las limitaciones técnicas con las que opera la firma asiática. Debido a las restricciones de exportación impuestas por Estados Unidos, CXMT carece de acceso a los equipos de litografía de ultravioleta extremo (EUV) que emplean sus competidores. En su lugar, fabrica sus matrices de memoria en un nodo de 16 nm utilizando máquinas de ultravioleta profundo (DUV), una tecnología que, sobre el papel, se encuentra varias generaciones por detrás de los procesos más avanzados de SK hynix, pero parece que eso poco importa ya que aun así sus memorias logran velocidades muy altas.
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Fundada hace apenas una década, CXMT se ha consolidado como el mayor fabricante de memorias de China y el cuarto a nivel mundial. Su rápida expansión ha cobrado fuerza tras su debut en el mercado de memoria DDR5 a finales de 2025 y su posterior salida a bolsa, donde recaudó más de 8.600 millones de dólares.
Actualmente, ensambladores locales como Asgard, Gloway y KingBank utilizan de sus matrices, mientras que marcas como Corsair y fabricantes de equipos como HP, Acer y Asus ya incorporan chips CXMT en sus dispositivos. Con un plan de construcción de fábricas, la compañía china busca capturar el 30% de la cuota de mercado mundial para el año 2030. Os mantendremos informados.
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