zHBM y zNAND-O: La apuesta 3D de Samsung para romper los cuellos de botella de la IA

Durante la conferencia Future of Memory and Storage (FMS) 2026, Samsung presentó su hoja de ruta estratégica para superar los límites de rendimiento y eficiencia que exige la infraestructura de Inteligencia Artificial y computación de alto rendimiento (HPC). Para ellos presentaron los módulos zHBM y zNAND-O.

zHBM y zNAND-O: Samsung presenta sus nuevas memorias para la IA

El anuncio principal en el FMS 2026 fue la presentación de los modelos conceptuales zHBM y zNAND-O. La arquitectura zHBM rompe con el esquema convencional al apilar la memoria HBM directamente de forma vertical sobre las aceleradoras IA en lugar de colocarla a los lados. Mediante una avanzada tecnología de unión de oblea, zHBM promete multiplicar por ocho el rendimiento frente a HBM5, incrementar la densidad de memoria en más de 10 veces, reducir el consumo eléctrico a un tercio y disminuir la resistencia térmica a la mitad. Además, su diseño modular permitirá integrar IP personalizada en la capa intermedia según las necesidades de cada cliente.

Por su parte, zNAND-O se perfila como una solución NAND de ultra-baja latencia y alta capacidad orientada a entornos de Edge AI, desarrollada en versiones de 4 y 8 capas para ofrecer un gran procesamiento en tiempo real.

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Samsung ya había marcado en su calendario la llegada de sus módulo V10 BV-NAND (Bonding V-NAND), la primera memoria de la industria en superar los 400 capas. Gracias a su nueva arquitectura de enlace entre obleas de celdas, V10 incrementa la densidad de almacenamiento en aproximadamente un 58% en comparación con la generación anterior (V9), ofreciendo mayores velocidades de lectura, escritura e E/S con un consumo eléctrico optimizado.

El catálogo de Samsung se complementó con muestras avanzadas de memorias HBM4E, diseños de HBM5 y la solución LPDDR5X-PIM, pionera en incorporar tecnología de procesamiento dentro de la propia memoria para reducir el tráfico de datos y el consumo del sistema.

De esta manera, Samsung quiere seguir un gran protagonismo en el área de memorias y almacenamiento para la próxima generación. Os mantendremos informados