En un logro clave para la industria y las ambiciones de relocalización industrial de Estados Unidos, TSMC ha comenzado a fabricar los primeros chips de IA Nvidia GB300 en su instalación Fab 21, ubicada en Phoenix, Arizona. La producción de estos potentes chips bajo el nodo de 4 nanómetros representa un avance histórico hacia la independencia en la fabricación de semiconductores avanzados en suelo estadounidense, uno e los sueños de la administración Trump.
El proceso de fabricación aún está lejos de completarse en Estados Unidos. A pesar de que las obleas de silicio son procesadas en la planta de Arizona, si deben ser enviadas en avión a Taiwán para someterse al proceso de empaquetado avanzado CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate). Esta etapa integra el núcleo principal del GPU con múltiples pilas de memoria de alto ancho de banda (HBM3E) mediante un interponedor de silicio, permitiendo las elevadas velocidades de transferencia requeridas para cargas de trabajo de IA.
Esto muestra a las claras la complejidad de la cadena de suministro mundial para poder crear estos chips tan potentes. Aunque la capacidad para fabricar obleas ha avanzado en los Estados Unidos, la falta de infraestructura local para empaquetado avanzado actúa como un cuello de botella para lograr una producción 100 % nacional.
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Para solucionar esto, TSMC proyecta inversiones en Estados Unidos, con planes para integrar plantas con tecnologías CoWoS y SoIC. De forma paralela, socios de la cadena como Amkor Technology también están construyendo nuevas instalaciones de empaquetado y pruebas en Arizona, mientras que fabricantes como Foxconn y Wistron operan plantas de ensamblaje de servidores en Texas.
Se proyecta que cuando las nuevas plantas de empaquetado entren en funcionamiento y se adopten nodos más avanzados (como 2 nm y 1.6 nm para 2028), Nvidia podrá completar en Estados Unidos todo el ciclo de fabricación de sus chips. Os mantendremos informados.
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