La carrera por el liderazgo en la memoria de alto ancho de banda HBM alcanza un nuevo capítulo con la presentación de las memorias HBM4E de SK Hynix.
Estas nuevas memorias prometen transformar el panorama del hardware para centros de datos de inteligencia artificial, con una mejora en el ancho de banda y también en la capacidad.
El avance más destacado de la memoria HBM4E se encuentra en su densidad de matriz de 32 Gb, lo que representa un aumento del 33% en comparación con el estándar HBM4 convencional. Gracias a esta optimización, SK Hynix es capaz de alcanzar una capacidad de 48 GB utilizando únicamente configuraciones de 12 capas apiladas (12-Hi). En contraste, la memoria HBM4 actual requiere de un diseño más complejo de 16 capas (16-Hi) para igualar esa misma capacidad.
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Además de las mejoras en la densidad, la memoria HBM4E alcanza velocidades de pin de hasta 16 Gbps, logrando un incremento del 37% respecto a las especificaciones base de HBM4. Este salto de velocidad impulsa el ancho de banda total de la memoria hasta una cifra récord de 4.0 TB/s por módulo. Están memorias están diseñadas para integrarse en las aceleradoras gráficas más potentes de la industria, y se espera que haga su debut oficial el próximo año acompañando a las GPUs de arquitectura «Rubin Ultra» de Nvidia.
Por otra parte, la compañía aprovechó el evento para exhibir tecnologías complementarias. Entre ellas destaca la memoria AI-N B, un concepto que utiliza vías a través de silicio (TSV) para apilar matrices NAND logrando anchos de banda similares a HBM con capacidades de almacenamiento bastante grandes. También aprovecharon la ocasión para presentar un módulo LPCAMM2 de 96 GB basado en LPDDR5X (orientado a PC con IA) y sus nuevas unidades de estado sólido basadas en la tecnología V9 NAND en configuraciones QLC y TLC.
El avance con las memorias HBM sigue avanzando, siendo muy importantes para la evolución de las aceleradoras de IA. Os mantendremos informados.
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