Samsung ha presentado una nueva tecnología de memoria RAM, las 3D DRAM, con un lanzamiento que estaría previsto para el año 2025.
La compañía coreana está trabajando en sus memorias 3D DRAM, con el que planean innovar en este campo con líneas de compresión de menos de 10 nm, además de añadir nuevas tecnologías y el uso de nuevos componentes, con la idea de aumentar las capacidades, las velocidades, la latencia y la eficiencia.
Samsung va a añadir dos nuevas tecnologías con sus memorias 3D DRAM, Vertical Channel Transistors (Transistores de canal vertical) y Stacked DRAM (DRAM apilada). Estos dos cambios harían aumentar la densidad de memoria, ya que los módulos ocuparían menos espacio, mientras que aumentan el rendimiento de la memoria.
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Por lo que podemos ver en la dispositiva, Samsung tiene una hoja de ruta y estas memorias 3D DRAM estarían siendo utilizadas a partir del 2025 y se seguirán utilizando y evolucionando, al menos, hasta el año 2035. Samsung asegura que esta tecnología de memoria será “disruptiva” en la industria, donde básicamente estarían utilizando módulos DRAM apilados para lograr aumentar las capacidades de memorias sin aumentar el tamaño de los DIMM posiblemente. Samsung no ha querido aportar muchos detalles al respecto, como capacidades o velocidades que podríamos experimentar.
Este tipo de módulos permitirían memorias DDR desde los 100 GB. De hecho, se está pronosticando que las memorias 3D podrían generar ganancias de hasta 100.000 millones de dólares para el año 2028. Os mantendremos informados.
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