Nodo Intel 4: duplica la densidad con +20% de rendimiento

En el Simposio anual de VLSI del IEEE, se han dado más detalles sobre Intel 4, el nuevo nodo de proceso de la compañía americana que utilizará litografía EUV. El nuevo nodo es el elegido para dar vida a los próximos procesadores Intel 4.

Intel 4: duplica la densidad con +20% de rendimiento

Anteriormente denominado proceso de 7 nm, Intel 4 es el primer nodo de la compañía que utilizará la litografía EUV, que va a beneficiar a la siguiente generación de procesadores Intel Core ‘Meteor Lake’. Esta generación será un salto importante para Intel, ya que no solo van a dejar atrás el nodo de proceso Intel 7, también van a utilizar una arquitectura rediseñada para sus procesadores, con el uso de mosaicos.

Gracias al nodo de proceso Intel 4, la compañía puede duplicar el número de transistores para la misma área y permitirá un 20% más de rendimiento.

Intel 4 proporciona el doble de transistores en la misma área en comparación con Intel 7. En cuanto a la SRAM, el nuevo PDK proporciona una reducción de área de 0,77, lo que significa que el mismo SoC construido con Intel 7 no tendrá la mitad de tamaño que el de Intel 4. En números, el Intel puede contener 80 millones de transistores por milímetro cuadrado, mientras que con Intel 4 este número se aumenta a 60 millones de transistores por milímetro cuadrado.

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El nuevo nodo también introduce algunas modificaciones en los transistores, ahora añadiendo unas 16 capas de metal para la lógica en el nodo, frente a las capas 15 de Intel 7. La puerta está hecha de tungsteno, mientras que las cuatro primeras capas de metal están hechas de cobre con revestimiento de cobalto. La compañía asegura que esto proporcionado un mejor rendimiento que el cobre puro, que si se está utilizando para interconectar el cableado.

Si nos metemos en el terreno del rendimiento, Intel informa que con una potencia iso de 0,65 voltios, se puede lograr un aumento del 21,5% con respecto a Intel 7. A una potencia mayor, como 0,84 voltios, la curva se aplana hasta una mejora del 10% aproximadamente.

La empresa señala un consumo de energía un 40% menor con una velocidad de 2,1 GHz en los transistores.

Los primeros productos con el nodo están previstos para el año 2023. Os mantendremos informados.