Samsung es uno de los pocos actores que quedan en el segmento de fabricación de chips de vanguardia, y mientras que TSMC es el líder indiscutible de este mercado, Samsung pretende destronarlo en el futuro con su tecnología GAAFET y una gran inversión financiera.
Samsung ha anunciado que su nuevo complejo de fabricación V1 ha comenzado la producción en masa utilizando los nodos de silicio de 7nm y 6nm de la compañía, con planes de pasar a 3nm en el futuro. Esta línea está dedicada a la tecnología de litografía EUV, que se convertirá en un factor cada vez más importante a medida que vayamos más allá de los 7nm.
La puesta en marcha de esta instalación de fabricación EUV es un gran acontecimiento en el mundo de la fabricación de silicio, ya que proporciona a TSMC una competencia muy necesaria y aumenta la capacidad mundial de producción de silicio de vanguardia. Varios informes en 2019 ya han enumerado a Nvidia como uno de los principales clientes de 7nm de Samsung, lo que hace posible que las tarjetas gráficas de próxima generación de Nvidia se fabriquen utilizando la tecnología de fabricación de 7nm de Samsung.
A finales de este año, Samsung habrá invertido 6.000 millones de dólares en su línea V1. Esta inversión triplicará la capacidad de fabricación de 7nm (e inferior) de la compañía con respecto a lo que era a finales de 2019.
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