EPYC Rome, Imágenes y mas detalles sobre el CPU mas avanzado de AMD

Los procesadores EPYC Rome de segunda generación de AMD se lanzaron en agosto y desde entonces, hemos estado recibiendo más detalles sobre el chip en sí y sus características. Los últimos detalles de la matriz E/S, que incluyen primeros planos, han sido revelados por Hardwareluxx, lo que nos da una mejor visión del chip de servidor más innovador de AMD hasta la fecha, compuesto por 8.4 mil millones de transistores.

EPYC Rome está compuesto por 8,34 mil millones de transistores

Ha habido muchos detalles que AMD ha empezado a revelar recientemente para sus procesadores EPYC Rome de segunda generación. Los procesadores AMD EPYC Rome están compuestos por un diseño de 9 matrices que también se conoce como MCM (Multi-Chip-Module). Las 9 matrices incluyen ocho CCD (matrices Compute Core) y un solo IOD (matriz de entrada/salida). Cada CCD está compuesto por dos CCX (Compute Core complexes) que incluyen cuatro núcleos Zen 2 con su propia caché L2 y una caché L3 compartida. Los ocho CCD se conectan a la matriz de E/S.

Cada CCD mide 74mm2 y está compuesto por 3,9 mil millones de transistores. El IOD que aparece en Ryzen tiene un tamaño de matriz de 125 mm2 y está compuesto por 2,09 mil millones de transistores. El IOD que aparece en el EPYC está compuesto por 8,34 mil millones de transistores y mide 416 mm2. El IOD combinado con los 8 Zen 2 CCD’s miden a 1008mm2 mientras que se compone de 39.54 mil millones de transistores.

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Ahora el IOD que aparece en el uno es mucho más grande que el que aparece en los procesadores Ryzen. El chip cuenta con la compatibilidad de PCIe 4.0, que se encuentra a los lados del IOD. La capacidad de la segunda generación EPYC es de 162 pistas PCIe. Las áreas superior e inferior del troquel cuentan con cuatro canales de memoria DDR4 de 72 bits.

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EPYC Rome ya se está utilizando en algunos de los servidores más potentes del mundo, y AMD tiene la esperanza de seguir aumentando su cuota de mercado en servidores gracias a estos chips.