Samsung desarrolla la primera DRAM de 10 nm de tercera generación

Samsung anunció hoy que ha desarrollado por primera vez en la industria una DRAM de 10 nanómetros (1z-nm) de ocho gigabits (Gb) de doble velocidad de datos DDR4 de tercera generación.

Samsung es pionera en la fabricación de memorias DRAM

A sólo 16 meses desde que comenzó a producir en masa la segunda generación de la clase 10nm (1y-nm) 8Gb DDR4, el desarrollo de 1z-nm 8Gb DDR4 sin el uso del procesamiento Extremo Ultravioleta (EUV) ha empujado aún más los límites de la escala de la DRAM.

A medida que 1z-nm se convierte en el nodo de proceso de memoria más pequeño de la industria, Samsung está preparado para responder a las crecientes demandas del mercado con su nueva DRAM DDR4 que tiene una productividad de fabricación de más de un 20% superior en comparación con la versión anterior de 1y-nm. La producción en masa del DDR4 de 1z-nm y 8Gb comenzará en la segunda mitad de este año para dar cabida a la próxima generación de servidores empresariales y PCs de gama alta que se espera que sean lanzados en 2020.

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El desarrollo de la DRAM 1z-nm de Samsung allana el camino también para la próxima generación de memorias DDR5, LPDDR5 y GDDR6, que son el futuro de la industria. Los productos 1z-nm con mayor capacidad y rendimiento permitirán a Samsung fortalecer su competitividad y consolidar su liderazgo en el mercado de las memorias DRAM ‘premium’ para aplicaciones que incluyen servidores, gráficos y dispositivos móviles.

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Samsung aprovecho la ocasión para decir que aumentara parte de su producción de memoria principal en la planta de Pyeongtaek, en Corea, para satisfacer la creciente demanda de la DRAM.