SK Hynix es el fabricante de memoria coreano que se sitúa inmediatamente por detrás de Samsung, ha comunicado mediante una actualización de su catálogo comunica que ya tiene disponibles sus chips de memoria GDDR6 con una capacidad de 8 Gb.
Estos nuevos chips GDDR6 de 8 Gb se ofrecen en cuatro variantes diferenciadas por su velocidad de transferencia, así hay modelos H56C8H24MJR-S2C a 14 Gbps y 12 Gbps y modelos H56C8H24MJR-S0C a 12 Gbps y 10 Gbps, del segundo hay dos versiones diferentes. Los dos primeros son más eficientes energéticamente al necesitar un voltaje de 1,25V mientras que los segundos necesitan 1,35V para funcionar.
Este anuncio llega en un momento en el que Samsung ya ha anunciado que ha puesto en marcha la producción en masa de sus nuevos chips GDDR6 con una capacidad de 16 Gb (2 GB) que permitirán alcanzar configuraciones con 16 GB de VRAM usando una interfaz de 256 bits o un total de 8 GB usando una interfaz de solo 128 bits. La gran ventaja de Samsung es que puede alcanzar una frecuencia de 18 Gbps usando el mismo voltaje 1,35V que los chips más rápidos de SK Hynix.
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