Samsung y Nvidia extienden su alianza con memorias V-NAND de hasta 500 capas

Samsung ha dado un paso decisivo para afianzar su liderazgo en el sector de semiconductores al expandir su alianza estratégica con Nvidia.

Samsung desarrolla memorias V11 NAND de hasta 500 capas

Más allá de sus acuerdos existentes en memorias DRAM, HBM (High Bandwidth Memory) y servicios de fundición (foundry), la firma surcoreana ha comenzado el suministro de sus memorias NAND Flash de última generación, destinadas a sostener la exigente infraestructura de los centros de datos y servidores de IA.

El principal motor detrás de este incremento en la demanda es la próxima plataforma de almacenamiento para IA de Nvidia, llamada Context Memory Storage (CMX). Este avanzado sistema integrará hasta 576 unidades SSD para alcanzar una capacidad combinada sin precedentes de 9.600 TB por unidad. Expertos de la industria prevén que las necesidades de memoria NAND para cubrir la demanda de CMX escalarán desde los 35 millones de terabytes previstos para este año hasta superar los 100 millones de terabytes en 2027.

Para responder a semejante exigencia de almacenamiento, Samsung se encuentra gestionando simultáneamente tres generaciones de tecnología V-NAND. Actualmente, destina cerca del 60% de su capacidad total de fabricación (que supera las 100.000 obleas mensuales) a la novena generación (V9), al tiempo que ha iniciado los envíos comerciales de la décima generación (V10), la cual reemplaza el cableado de tungsteno por molibdeno para lograr un aumento de densidad superior al 50%.

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Sin embargo, el logro más ambicioso se encuentra en el desarrollo de la undécima generación (V11). Samsung ya ha iniciado la producción de prueba de estos chips NAND, los cuales alcanzarán un apilamiento vertical de entre 400 y 500 capas (aproximadamente 100 capas más que la generación V10).

La compañía quiere duplicar la escala de estas pruebas piloto durante la segunda mitad del año con el objetivo de acumular datos clave sobre el rendimiento de fabricación y acelerar la transición hacia su producción en masa. Con una proyección de producción mundial de 250 millones de TB de NAND este año, Samsung quiere ser líder en un mercado de almacenamiento super competitivo.