SK Hynix y Samsung se encuentran compitiendo por fabricar chips NAND con la mayor cantidad de capas verticales posibles, con el que pueden lograr módulos de almacenamiento con mayor capacidad.
Sin embargo, este proceso de apilamiento vertical de capas en módulos NAND ha chocado contra una barrera física y de materiales que obliga a los fabricantes a hacer modificaciones en su producción.
SK Hynix ha verificado con éxito su nueva solución NAND, etiquetada comercialmente como una arquitectura de clase «400 capas». Sin embargo, por los obstáculos técnicos surgidos al apilar tal cantidad de celdas en un solo chip, la compañía ha tenido que ajustar el diseño final a 375 capas estructurales. A pesar de este recorte, el fabricante planea iniciar la producción en masa para finales de 2026 mediante la reconversión de sus líneas de producción actuales, que actualmente ensamblan memorias V9 de 321 capas.
El gran desafío que enfrentan tanto SK Hynix como Samsung se encuentra en las interconexiones eléctricas. A medida que las vías de comunicación se vuelven más estrechas y profundas para albergar cientos de capas, el tungsteno, el material utilizado como película conductora, empieza a fallar debido a su resistencia eléctrica, lo que degrada la transmisión de las señales de datos.
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Para solucionar estas limitaciones, los fabricantes se ven obligados a abandonar por completo el tungsteno en sus hojas de ruta (que ya contemplan desarrollos futuros de 480 y 604 capas) y sustituirlo por molibdeno. El molibdeno ofrece una resistencia mucho menor en estructuras microscópicas y ya está siendo integrado por Samsung en sus soluciones V-NAND de más de 400 capas previstas para este año.
Se estima que la demanda de molibdeno por parte de la industria de semiconductores pasará de unas pocas toneladas en la actualidad a las 25 toneladas en 2027, escalando hasta las 80 toneladas proyectadas para el año 2030. Os mantendremos informados.
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