SK hynix nos anuncia oficialmente el desarrollo de su memoria DRAM LPDDR6 de 16 Gb. Este destaca por ser el primero en la industria en ser validado bajo la tecnología de proceso de sexta generación de clase 10 nm, conocida internamente como «1c».
Estas memorias tuvieron una primera presentación durante el CES 2026, y posiciona a la compañía coreana a la vanguardia con módulos de memorias eficientes y con gran rendimiento para la próxima generación de smartphones y tablets.
La principal promesa de esta nueva memoria es su velocidad de procesamiento. Con una tasa de transferencia de datos base de 10.7 Gbps, las memorias LPDDR6 de SK hynix ofrece un incremento del 33% en la velocidad de procesamiento en comparación con el estándar actual LPDDR5X. Este salto en el rendimiento es fundamental para acelerar la ejecución de cargas de trabajo de inteligencia artificial directamente en el dispositivo sin depender de la nube.
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Más allá de la potencia bruta, SK hynix ha logrado mejorar la eficiencia en más de un 20%. Este logro se debe a la implementación de una estructura de subcanales y la tecnología DVFS (Dynamic Voltage and Frequency Scaling). El diseño de subcanales permite que solo operen las rutas de datos que son necesarias, mientras que el DVFS ajusta el voltaje según la carga de trabajo. Esto se traduce en una mayor duración de batería para el usuario y una gestión de la temperatura más eficiente durante sesiones intensas, como videojuegos o multitarea pesada.
SK hynix tiene previsto completar los preparativos para la producción en masa durante la primera mitad de 2026. Se espera que el suministro a los principales fabricantes de dispositivos comience oficialmente en el segundo semestre de este mismo año. Os mantendremos informados.
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