Samsung confirma que ha comenzado la producción en masa de sus módulos de memoria GDDR7 de 24 Gb (3 GB).
Estos chips de última generación establecen un nuevo estándar con velocidades de transferencia de 28 Gbps, sentando las bases para la próxima ola de tarjetas gráficas y dispositivos de computación de alto rendimiento, que dan el salto desde GDDR6 a GDDR7.
La característica más notable es el aumento de la capacidad por módulos. Cada módulo cuenta con 3 GB de memoria, lo que representa un 50% más de capacidad que los chips GDDR7 de 2 GB empleados actualmente en algunas GPUs. Este incremento permite a los fabricantes diseñar tarjetas gráficas con mayor capacidad de memoria VRAM. Modelos de alta gama, como la GPU para portátiles RTX 5090 y las RTX 6000 PRO de Nvidia, ya están haciendo uso de esta tecnología para tener mayor capacidad.
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Samsung ya está en la fase de muestreo de variantes GDDR7 aún más veloces para sus clientes. Estas incluyen módulos que alcanzan los 32 Gbps y otros que llegan hasta los 36 Gbps. Estas velocidades representan un aumento del 14% y del 28% respectivamente sobre los chips de 28 Gbps que fabrican hoy en día.
Hay rumores de que estos chips GDDR7 de 3 GB serán fundamentales para la serie de GPUs Nvidia RTX 50 SUPER, que amentarían las capacidades de memoria. Sin embargo, se ha reportado que la escasez mundial de DRAM podría causar retrasos en la llegada de estas GPUs.
Si bien Samsung avanza a paso firme con sus módulos GDDR7, SK Hynix tiene pensado presentar sus memorias de 3 GB de 48 Gbps en el ISSCC 2026. Os mantendremos informados.
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