KIOXIA presenta sus nuevas memorias flash integradas UFS 4.1 con tecnología de 8.ª generación

KIOXIA Europe ha comenzado a distribuir muestras de sus nuevas memorias UFS 4.1, con la clara intención de reforzar su liderazgo en el mercado de almacenamiento de alto rendimiento.

Memoria UFS 4.1 de KIOXIA: alto rendimiento con BiCS FLASH de 8.ª generación

Las nuevas memorias integradas UFS 4.1 de KIOXIA han sido anunciadas en el día de hoy, y la marca ha confirmado que se basan en la tecnología 3D BiCS FLASH de octava generación, que incorpora la arquitectura CBA (CMOS Bonded to Array). Esta innovación permite unir directamente los circuitos CMOS a la matriz de memoria, mejorando notablemente la velocidad, densidad y el consumo energético.

El resultado es una solución ideal para móviles con IA integrada, donde el rendimiento fluido y el consumo optimizado son esenciales para ofrecer una mejor experiencia de usuario. Además, estos nuevos dispositivos llegan en capacidades de 256 GB, 512 GB y 1 TB, y ofrecen un salto significativo en velocidad y eficiencia. A continuación podéis ver algunas de las características principales de estos modelos:

• Escritura aleatoria: hasta un 30 % más rápida.
• Lectura aleatoria: mejoras de hasta 45 % (en modelos de 512 GB).
• Eficiencia energética: hasta 20 % menos consumo en lectura.
• Altura del paquete reducida (modelo de 1 TB)

Además, junto a todo esto, incluyen funciones como:

• Desfragmentación iniciada por el host para evitar ralentizaciones.
• WriteBooster con búfer redimensionable, adaptado a cargas variables.
• Compatibilidad total con el estándar UFS 4.1.

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Estas mejoras no solo aumentan la velocidad de transferencia, sino que también reducen el consumo en tareas exigentes como juegos, procesamiento de imágenes o apps de IA. Por tanto, supone un paso adelante importante con respecto a la anterior generación de este tipo de memorias

KIOXIA refuerza su liderazgo en almacenamiento flash

El vicepresidente de la compañía, Axel Störmann, ha querido hablar sobre todo esto, destacando que las nuevas memorias suponen un verdadero avance para tratar de reforzar la posición de KIOXIA en el mercado.

Los nuevos dispositivos de memoria integrada UFS 4.1 de KIOXIA suponen un avance notable, que refuerza el liderazgo de KIOXIA en materia de almacenamiento de alto rendimiento y su compromiso de liderar la innovación en almacenamiento flash.

Diseñados con BiCS FLASH de 8.ª generación y tecnología CBA, estos dispositivos satisfacen las demandas de las aplicaciones móviles de nueva generación del mañana, como la IA integrada en dispositivos, lo que supone un salto significativo respecto a sus predecesores

Las muestras de los nuevos dispositivos UFS 4.1 ya se están distribuyendo a socios y fabricantes. No se ha confirmado aún la fecha de disponibilidad comercial, pero se espera que estas memorias formen parte del hardware de los principales smartphones de gama alta en los próximos meses.