Samsung se ha marcado como objetivo crear NAND de 1.000 capas de cara al año 2030 basándose en su diseño «multi-BV».
De acuerdo con una información proveniente de The Bell, la compañía surcoreana tiene muy claro su objetivo de cara a 2030, y tiene un plan muy claro para ello. Según las fuentes, la intención es la de apilar cuatro obleas juntas para superar los límites estructurales que vemos a día de hoy, con la intención de crear NAND de 1.000 capas.
El CTO de la división DS de Samsung Electronics, Song Jae-hyuk, señaló en su momento que la unión de obleas permite la producción separada de obleas periféricas y celulares antes de unirlas en un semiconductor, lo que facilita la fabricación.
Desde el medio que hemos citado se aventuran a señalar que la primera aparición de esta tecnología será con la NAND de décima generación de Samsung (v10), aunque los expertos creen que una sola oblea puede llegar a alcanzar las 500 capas NAND al implementarlas solo en estructuras celulares.
Al parecer, el plan de la compañía consiste en trabajar con la empresa china YMTC, para así poder trabajar con su patente de unión híbrida para la próxima NAND de Samsung. Según parece, la producción de la NAND V10 dará comienzo durante la segunda mitad de 2025, con el objetivo de alcanzar las 420-430 capas.
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Por otro lado, The Bell también señala que otro de los planes de Samsung consiste en el grabado en frío con molibdeno, que jugará un papel fundamental en la próxima generación de la compañía, y que debería ser un elemento clave para alcanzar el objetivo de cara a 2030.
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