Samsung LLW DRAM, la posible revolución que mejoraría a DDR5

Ya sabíamos de la existencia de Samsung LLW DRAM, pero tenemos nueva actualización sobre su latencia, consumo y rendimiento.

Novedades en memorias RAM I/O o E/S, como lo queráis llamar, y es que se trata de una memoria que ya fue presentada ligeramente por Samsung en Twitter. Oficialmente, la presentaron en su blog de Samsung Semiconductor relacionándola con la inteligencia artificial. Se centran principalmente en bajar la latencia e incrementar el ancho de banda.

Samsung LLW DRAM, una tecnología muy prometedora

La estarían desarrollando actualmente y se trata de Low Latency Wide (LLW): baja latencia, bajo consumo y ancho de banda muy alto. Los coreanos la han posicionado para los modelos de lenguaje grandes implementados en dispositivos (famosos LLMs). Solo os diré que parece ser la sustituta de LPDDR5X.

Samsung LLW DRAM es una memoria de bajo consumo a la que la CPU podría acceder rápidamente y que contaría con un ancho de banda de 128 GB/s. El equivalente actual en la plataforma sobremesa es DDR5-8000 de 128 bits, pero su consumo es mucho más elevado.

Aquí estamos hablando de que han usado una magnitud pJ/bit, que mide la eficiencia en términos de memorias. Eso sí, los coreanos no han querido revelar muchos datos sobre ello, pero ya nos avanzan que la han comparado con GDDR6W.

Hay muchas teorías en la red, y una de ellas es que esté pensada para estar dentro de la NPU tan famosa que llevan todos los SoC o CPUs actuales. Es decir, la LLW DRAM se podría ver en smartphones, tablets, portátiles; cualquier aplicación profesional que haga uso de IA.

Lo último que ha desvelado Samsung es que su desarrollo está cerca de finalizarse, por lo que podremos sacar conclusiones pronto. Es posible que veamos más detalles en el Galaxy Unpacked 2024 que dará lugar el 17 de enero.

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