Samsung presenta los módulos DRAM DDR5 de 32 Gb. Las memorias RAM de 128 GB están cada vez más cerca, al aumentar la capacidad de los chips.
Fabricantes de memorias DRAM como SK Hynix y Micron están fabricando actualmente módulos de 24 Gb, lo que limitaba a las memorias RAM a una capacidad de 96 GB. Con estos nuevos módulos de 32 Gb de Samsung, esta capacidad podría alcanzar ahora una capacidad de hasta 128 GB por DIMM RAM, lo que es un avance importante.
Estos nuevos módulos DDR5 estarían fabricados en un nodo de 12 nm, aumentando un 33% la capacidad con respecto a los actuales módulos de 24 Gb.
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«Con nuestra DRAM de 32 Gb de clase 12nm, hemos asegurado una solución que permitirá módulos DRAM de hasta 1 terabyte (TB), lo que nos permite estar en una posición ideal para servir a la creciente necesidad de DRAM de alta capacidad en la era de la IA (Inteligencia Artificial) y los grandes datos», dijo SangJoon Hwang, Vicepresidente Ejecutivo de Producto y Tecnología DRAM de Samsung Electronics. «Seguiremos desarrollando soluciones DRAM a través de tecnologías de proceso y diseño diferenciadas para romper los límites de la tecnología de memoria.»
Con los módulos DRAM de 32 Gb de Samsung, las memorias RAM DDR5 de 128 GB pueden fabricarse ahora sin utilizar el proceso TSV, lo que reduce el consumo eléctrico un 10% en comparación con aquellas memorias de 128 GB con módulos de 16 Gb, lo que lo hará especialmente óptimos para la eficiencia en centros de datos.
Con este anuncio, Samsung quiere reafirmar su liderazgo en este campo. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.
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