Samsung ha declarado que están preparados para poder fabricar en masa chips con un nodo de tan solo de 2 nm, pero a partir del año 2025.
En un discurso de apertura, el Dr. Siyoung Choi, director de la unidad de negocio Samsung Foundry, ha dado la noticia al mundo de que se proyecta emigrar a un proceso de 2 nm a partir del año 2025, que será el próximo paso luego de los nodos de 5 nm y 3 nm.
«Se espera que los 2 nm comiencen a producirse en masa en la segunda mitad de 2025», afirma el Dr. Siyoung Choi. «Cuando lo haga, representará la tercera generación de tecnologías de proceso aplicadas por GAA. En última instancia, esperamos que la transición de la industria a los 2 nm sea fluida gracias a la experiencia previa con los 3 nm». Para preparar ese futuro, Samsung Foundry seguirá reforzando sus competencias en tecnologías de proceso.»
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Samsung Foundry fue el primer fabricante de chips que anunció la transición a los transistores GAAFET con sus procesos de fabricación 3GAE (3 nm gate all-around early) y 3GAP (3 nm gate all-around plus). Este nuevo proceso fue retrasado para su fabricación en masa para el año 2022, y será el paso previo al nodo de 2 nm.
La compañía no ha revelado cuáles van a ser las ventajas adicionales que van a aportar los chips fabricados en 2 nm, en términos de rendimiento, potencia o densidad de transistores en comparación con generaciones anteriores.
Samsung es un fabricante de chips que también trabaja para otros clientes, por lo que este paso no solo beneficiara a la propia compañía, también a las demás empresas que utilicen sus instalaciones, como es el caso de Nvidia. Os mantendremos informados.
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