Samsung revela la memoria RAM DDR5-7200 de 512 GB

Samsung se presentó en el Hot Chips 33 para anunciar el primer módulo de memoria DDR5-7200 de 512 GB.

Samsung revela la memoria RAM DDR5-7200 de 512 GB

La memoria Samsung DDR5-7400 es un nuevo módulo que ofrece una capacidad de hasta 512 GB con una velocidad de 7400 MHz. Este es la primera memoria del sector con esta capacidad y velocidad de memoria, con un voltaje que se mantiene en los 1.1V.

Samsung ha diseñado los módulos DDR5-7200 con ocho matrices apiladas e interconectadas mediante la conocida tecnología TSV (through-silicon-via). Eso duplica la cantidad de matrices que se ven en los módulos de memoria DDR4. Utilizando técnicas de manipulación de obleas, Samsung ha podido reducir los espacios entre las matrices en un 40%, lo que ha permitido reducir la altura de las pilas.

Samsung también menciona mucha de las otras ventajas que supone la llegada de los módulos DDR5, en el que destaca un aumento de la eficiencia del bus DRAM de hasta un 10%, además de la tecnología DFE (decision feedback equalizer). La mejora de la eficiencia energética ha sido posible gracias a la implementación del IC de gestión de energía (PMIC) en el módulo.

Las memorias RAM DDR5 de Samsung viene con un código de corrección de errores en el chip (ODECC) para garantizar un manejo de datos más fiable y seguro.

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Módulos de memoria de 256 GB no estaban disponible más allá del ambiente de servidores, por lo que sorprenden estos módulos de 512 GB por módulo. Sin embargo, estos módulos de 512 GB se van a lanzar solo para servidores y las memorias comerciales para los usuarios de PC se van a lanzar, probablemente, en módulos de hasta 64 GB. Esto quiere decir que podríamos ver ordenadores con configuraciones de hasta 256 GB de memoria DDR5 en el futuro.

Samsung espera que la producción en masa de sus módulos de memoria DDR4-7200 de 512 GB comience a finales de este año.