Samsung Electronics se encuentra actualmente desarrollando su séptima generación de memorias V-NAND con tecnología Ultra High 3D de apilamiento de memoria. El primer modelo contará con al menos 160 capas y se espera que los siguientes tengan aún más en un futuro.
La compañía coreana no ha dado muestras de rendirse a la iniciativa tecnológica de YMTC (competidor chino). Su primer modelo V-NAND de 160 capas llegará al mercado al mismo tiempo que el de 128 capas de YMTC a finales de 2020, por lo que tambores de guerra ya resuenan en el horizonte entre ambas empresas.
[irp]El diseño del sistema de almacenamiento Ultra High 3D de Samsung asienta sus bases en la tecnología Double Stack. Este método crea huecos electrónicos en dos momentos distintos para que la corriente atraviese el circuito. Los chips de la actual generación (de 96 capas) crean un único agujero por ciclo, por lo que en comparación la séptima generación V-NAND de Samsing aumentará su densidad en un 67%. La densidad de estas también podría aumentarse con otros recursos como cambiar a nodos semiconductures más modernos y sistemas de 5 bits por celda (PLC), que está siendo desarrollado por KIOXIA.
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Aunque sabemos que la primera aparición en el mercado para la séptima generación V-NAND de Samsung está fijada para finales de 2020 en un primer momento, aún no contamos con rangos de precios de lanzamiento. Tampoco hay noticias de que la actual pandemia de coronavirus vaya a generar retrasos en los meses venideros, por lo que deberemos esperar a la siguientes declaraciones de la compañía para más novedades.
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